碳化硅磚與電熔剛玉磚這兩種產品都不便宜，品種好幾種，需要根據具體的指標要求來進行報價，大致價格都在一萬左右一噸，詳細價格請來電咨詢。

 

 

碳化硅磚

 

以碳化硅為主要原料制成的碳化硅磚，硅磚是一種共價鍵合體，沒有人們常說的燒結性質，而是通過化學反應產生新的相位來實現燒結，即反應燒結。根據結合方式的不同，碳化硅磚可分為粘土結合碳化硅磚、氧氮化硅磚、氮化硅結合碳化硅磚、晶碳化硅磚和重結晶碳化硅磚。

 

粘土與碳化硅結合磚，以黑色碳化硅為原料，結合性好的軟粘土，紙漿廢液作粘結劑制成制品。普通粘性土10%~15%，紙漿廢液3%~5%，以大堆積密度計算碳化硅的大、中、細顆粒組成。混合時先加入碳化硅顆粒及細粉，再加入粘土細粉，3min干混后加入紙漿廢液(密度為1.26~1.28g/cm3)4%進行混合練習，待泥料混合12小時后，在4min孔內形成篩網，磚坯密度為2.5~2.7g/cm3。磚自然干燥2~4天，溫度1400℃燒成。

 

氮化硅與碳化硅磚，以碳化硅為原料，硅粉為原料，氮化后燒制而成的制品。

含SiC大于97%的碳化硅泥料的粒徑比為：粗：中：細=5:1:4。含硅粉量大于98%,10μm以下的占80%以上，20μm以下的大顆粒。炭化硅微粒與硅粉經混合、混合、成型、烘干后，將磚坯放入氮化爐內燒制，在燒制過程中通入氮氣，爐溫、壓力、氣氛都要嚴格控制。該工藝參數為：氮化氣體壓力在0.02~0.04MPa之間，爐氣含氧量小于0.01%，終氮化溫度在1350~1450℃之間，氮化總時間隨產品形狀和尺寸的不同而有所不同。

 

β-SiC與碳化硅磚、碳化硅、硅粉和炭粉按一定比例混合，混合成型，在1400℃還原氣氛中燒結。大部分是用埋碳燒制的。在燒制過程中，生成一種以α-SiC為骨架、以β-SiC為基質的β-SiC結合碳化硅磚。在燒制過程中，硅粉與炭粉反應生成β-SiC。這類產品通常含有少量的硅和碳。

 

四、氧氮化硅結合碳化硅磚，所配材料中硅粉的比例小于Si3N4結合磚，成型后在富N2氣氛(要求一定的氧氣分壓)下燒制，溫度1350~1400℃。終形成了以α—SiC為骨架，以Si2ON2為基質的含氧氮化硅的碳化硅磚。底物中常含有少量的Si和Si3N4。

Sialon配合碳化硅磚，將Si3N4和Al203按一定粒度配比，加入混合劑混練，成型后在還原氣氛下燒制。生產以α-SiC為骨架，以Sialon為基體的耐火制品。顆粒間存在的Sialon基質使制品的強度增加，抗熱震能力增強。

重結晶的碳化硅產品，由的α—SiC組成，沒有第二相存在。

含有SiC濃度大于99.5%的原料，采用大堆積密度顆粒級配，高壓成型，隔離電爐燒成，溫度在2100℃以上，要求電爐能燒到2500℃，SiC發生蒸發冷凝，形成無收縮自粘結結構。

 

 

電熔剛玉磚

 

電熔剛玉磚品種繁多

主要有：α-β-Al2O3磚、α-Al2O3磚、β-Al2O3磚。

aaa2O3磚。

Al2O3磚不具有玻璃相，且主要為α-Al2O3，但其中也有少量的β-Al2O3磚，它們在1850℃下處于穩定狀態，且電阻率為所有材料中高。其抗熔融玻璃腐蝕的能力低于鋯剛玉材料，但高于βAl2O3材料。氣孔率也較高；這種材料的產品包括匈牙利的戈爾維isito和美國的莫諾法克斯公司。

美國特種材料結構緊湊，氣孔率低于5%，且與玻璃液接觸時不會產生大量氣泡，因此主要用于決定玻璃液質量的電爐成型部分。

磚塊一般含18%？雖然對玻璃液的耐蝕性不如鋯剛玉磚強，但β-Al2O3與2%玻璃相的55%與鋯剛玉相的55%較低，在低溫時不會形成氣泡或排出結石，尤其適用于窯成型部分。

(2)β-Al2O3磚由于在高溫下具有特別好的抗堿蒸汽性能，適合電助熔窯的上部結構，在火焰窯中有胸壁、小爐膛和受力部位，但耐玻璃腐蝕能力較差。

α-βAl2O3磚晶相結構為45%？α-Al2O3相占55%,45%？β-Al2O3相占60%。耐磨性強的玻璃液體(略遜于α-Al2O3磚)，耐高溫堿性蒸汽的耐磨性好。

 

碳化硅磚與電熔剛玉磚價格

碳化硅磚與電熔剛玉磚這兩種產品都不便宜，品種好幾種，需要根據具體的指標要求來進行報價，大致價格都在一萬左右一噸，詳細價格請來電咨詢。

 

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